曾有人結(jié)論，把握了電池技能就把握了電動(dòng)轎車(chē)。

但在很多業(yè)內(nèi)人士看來(lái)，這個(gè)說(shuō)法并不能站住腳。轎車(chē)職業(yè)的供給鏈來(lái)自世界各地，零部件極端渙散，車(chē)企并不能「把握」電動(dòng)轎車(chē)。在電池之外，限制電動(dòng)車(chē)開(kāi)展的瓶頸還有一個(gè)十分重要的技能產(chǎn)品——IGBT。

絕緣柵雙極型晶體管——IGBT 在很多人眼里比較生疏，但在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)轎車(chē)、新能源裝備，以及工業(yè)范疇（高壓大電流場(chǎng)合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻操控）等使用極廣，是上述使用中的核心技能。

在芯片制造中，IGBT 負(fù)責(zé)操控交流電和直流電的轉(zhuǎn)換及高低電壓的轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)略做比喻的話，就是電力電子設(shè)備的「CPU」。

IGBT 同樣是新能源轎車(chē)中最重要的核心零部件之一。IGBT 在電動(dòng)轎車(chē)電池組充放電、動(dòng)力體系，乃至空調(diào)體系、轉(zhuǎn)向體系中都發(fā)揮這關(guān)鍵的作用。它的品質(zhì)直接影響電動(dòng)車(chē)功率的開(kāi)釋速度以及能量損耗等相關(guān)功能。

而且與工業(yè)級(jí) IGBT 比較，IGBT 在電動(dòng)轎車(chē)范疇的使用需求面臨更多的應(yīng)戰(zhàn)：轎車(chē)的群眾消費(fèi)特點(diǎn)對(duì) IGBT 的壽數(shù)要求更高，需求滿足使用壽數(shù)內(nèi)數(shù)十萬(wàn)次乃至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求；另一方面，轎車(chē)面臨著更為復(fù)雜的適用工況，需頻繁啟停、爬坡涉水、閱歷不同路況和環(huán)境溫度等，對(duì) IGBT 裝配體積和散熱功率的要求都十分嚴(yán)厲。

作為新能源轎車(chē)核心零部件，IGBT 在整車(chē)成本的占比約 5%-10%。因技能難、投資大，IGBT 與動(dòng)力電池一樣，長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)限制了新能源轎車(chē)的大規(guī)模商業(yè)化。

現(xiàn)在，電池工業(yè)開(kāi)展較快，2017 年我國(guó)動(dòng)力電池產(chǎn)值達(dá) 44.5GWh，根本滿足了新能源轎車(chē)的配套要求。但 IGBT 的開(kāi)展卻嚴(yán)重滯后，中高端 IGBT 產(chǎn)能?chē)?yán)重不足，長(zhǎng)時(shí)間依靠世界巨頭，導(dǎo)致「一芯難求」。

一定程度上，比亞迪在打破國(guó)外壁壘方面推動(dòng)了一些改變。

從公司來(lái)看，國(guó)外研制 IGBT 器材的公司主要有英飛凌、 ABB、三菱、西門(mén)康、東芝、富士等。我國(guó)功率半導(dǎo)體商場(chǎng)占世界商場(chǎng)的 50% 以上，但在中高端 MOSFET 及 IGBT 主流器材商場(chǎng)上，90％主要依靠進(jìn)口，根本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。

日前，比亞迪研制出全新的車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品 IGBT 4.0，聲稱產(chǎn)品功能到達(dá)了「全球搶先的水平」。比亞迪 IGBT4.0 產(chǎn)品的歸納損耗比較當(dāng)時(shí)商場(chǎng)主流產(chǎn)品下降了約 20%，使得整車(chē)電耗下降。以全新一代唐為例，在其他條件不變的情況下，采用比亞迪 IGBT4.0 較采用當(dāng)時(shí)商場(chǎng)主流的 IGBT，百公里電耗少約 3%。

比亞迪車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 模組

有必要說(shuō)明的是，IGBT 4.0 在比亞迪內(nèi)部可能是歷史性的產(chǎn)品：其模塊將提供給其他車(chē)企。此前，比亞迪的 IGBT 芯片只在內(nèi)部消化。

此舉背后有兩方面原因：

榜首，經(jīng)過(guò)幾年的產(chǎn)品才能驗(yàn)證，IGBT 在比亞迪內(nèi)部已根本跑通。數(shù)據(jù)顯示，比亞迪車(chē)用 IGBT 裝車(chē)量已超過(guò) 60 萬(wàn)只。在大規(guī)模芯片出貨的情況下，比亞迪承認(rèn)產(chǎn)品能夠到達(dá)「全球搶先」，也擁有了信心。比亞迪第六事業(yè)部高級(jí)研制經(jīng)理吳海平稱，公司此前所研制的幾代芯片產(chǎn)品和海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍有一定差距，而 4.0 版別的功能已能做到與同行不相上下。

從來(lái)沒(méi)有一蹴即至的工作。比亞迪在 2005 年就開(kāi)端了 IGBT 的布局。2005 年，比亞迪組建 IGBT 研制團(tuán)隊(duì)，正式進(jìn)軍 IGBT 范疇；2008 年，比亞迪斥資 1.7 億元收購(gòu)寧波中緯半導(dǎo)體晶圓廠，并重組這家已宣布破產(chǎn)的工廠，改名為寧波半導(dǎo)體。同年，比亞迪在深圳新建了 IGBT 模塊封裝工廠。

另一方面，IGBT 的產(chǎn)能逐漸安穩(wěn)，比亞迪方面表明，今年年底比亞迪 IGBT 晶圓的產(chǎn)能將擴(kuò)大到月產(chǎn) 5 萬(wàn)片，其規(guī)劃的下一步產(chǎn)能是，到 2020 年月產(chǎn) 10 萬(wàn)片晶圓，每年可供給 120 萬(wàn)輛車(chē)裝車(chē)。如果一片晶圓用在一輛車(chē)上，每月供給 5 萬(wàn)輛車(chē)，是一個(gè)不小的數(shù)目。

2015 年世界 IGBT 商場(chǎng)規(guī)模約為 48 億美元，估計(jì)到 2020 年商場(chǎng)規(guī)模能夠到達(dá) 80 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約 10%。2014 年國(guó)內(nèi) IGBT 銷(xiāo)售額是 88.7 億元，約占全球商場(chǎng)的 1/3。估計(jì) 2020 年我國(guó) IGBT 商場(chǎng)規(guī)模將超 200 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 15%。

能夠看見(jiàn)的是，在商場(chǎng)需求這方面，比亞迪正在盡力切下盡可能大的蛋糕。只有這樣才能搶奪最大的話語(yǔ)權(quán)。

除此之外，因?yàn)閷?duì)產(chǎn)品功能的極致要求，IGBT 內(nèi)部的原資料，也在閱歷大的變動(dòng)。

比亞迪宣布，其投入巨資研制的第三代半導(dǎo)體資料 SiC（碳化硅）項(xiàng)目，現(xiàn)在已大規(guī)模用于車(chē)載電源，有望于 2019 年推出搭載 SiC 電控的電動(dòng)車(chē)，估計(jì) 2023 年采用 SiC 基半導(dǎo)體全面替代硅基半導(dǎo)體（如硅基 IGBT），引領(lǐng)下一代電動(dòng)車(chē)芯片變革。

比亞迪 SiC 晶圓

碳化硅資料熱導(dǎo)率是硅的 2.5 倍。用碳化硅資料制造的 MOS 器材可在大于 200 度的高溫環(huán)境下工作，具有極低的開(kāi)關(guān)損耗和高頻工作才能，減小模塊的體積和重量，顯著提高體系的功率，有利于節(jié)能降耗。因此，碳化硅資料以其優(yōu)異的功能被職業(yè)列為第三代半導(dǎo)體資料。

實(shí)際上，這不是碳化硅資料榜首次被宣揚(yáng)使用。

微博上有網(wǎng)友稱，Model 3 是榜首個(gè)使用碳化硅功率元器材的電動(dòng)車(chē)型，用的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的 650v SiC Mosfet。搭載碳化硅功率元器材的 Model 3 在續(xù)航上提高適當(dāng)顯著，由此，如果比亞迪如期在下一年發(fā)布搭載 SiC 的車(chē)型，續(xù)航方面表現(xiàn)必會(huì)提高不少。

毫無(wú)疑問(wèn)，比亞迪正在用自研的方法深挖自己的護(hù)城河。除電池之外，和電池相關(guān)的根底技能也在影響著電動(dòng)轎車(chē)的功能體會(huì)。另一方面，關(guān)于新材料而言，比亞迪在上面的投入更像是一場(chǎng)押寶，面向更寬廣的商場(chǎng)和更強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手時(shí)，開(kāi)端嘗試「降維」用新的方法來(lái)敷衍新的「戰(zhàn)爭(zhēng)」。只能說(shuō)，在百年的傳統(tǒng)轎車(chē)職業(yè)即將更新之時(shí)，各家為之做出的盡力，都在向更好的體會(huì)前進(jìn)。